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FGH20N6S2D Spécifications techniques

FGH20N6S2D datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 28A
Power Dissipation 125W
Power - Max 125W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 31 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Collector Emitter Saturation Voltage 2.2V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A
Current - Collector Pulsed (Icm) 40A
Switching Energy 25μJ (on), 58μJ (off)
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-247-3
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 125W
Element Configuration Single
Input Type Standard
Rise Time 4.5ns
Max Collector Current 28A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 28A
Test Condition 390V, 7A, 25Ohm, 15V
Gate Charge 30nC
Td (on/off) @ 25°C 7.7ns/87ns
RoHS Status RoHS Compliant
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