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FGH30T65UPDT-F155
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FGH30T65UPDT-F155 Spécifications techniques
IGBT 650V 60A 250W TO247-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Weight | 6.39g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2016 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | TIN |
Max Power Dissipation | 250W |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | COLLECTOR |
Power - Max | 250W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 60A |
JEDEC-95 Code | TO-247AB |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.1V |
Test Condition | 400V, 30A, 8 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 170 ns |
Gate Charge | 155nC |
Td (on/off) @ 25°C | 22ns/139ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Element Configuration | Single |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 650V |
Reverse Recovery Time | 43 ns |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 650V |
Turn On Time | 52 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 90A |
Switching Energy | 760μJ (on), 400μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 7.5V |
FGH30T65UPDT-F155 Documents
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Feuilles de données
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