FGH30T65UPDT-F155 Spécifications techniques

IGBT 650V 60A 250W TO247-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2016
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish TIN
Max Power Dissipation 250W
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 250W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 60A
JEDEC-95 Code TO-247AB
Collector Emitter Saturation Voltage 2.1V
Test Condition 400V, 30A, 8 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 170 ns
Gate Charge 155nC
Td (on/off) @ 25°C 22ns/139ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Reverse Recovery Time 43 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Turn On Time 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 30A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
Switching Energy 760μJ (on), 400μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7.5V
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