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FGH40N60SMD-F085 Spécifications techniques

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2016
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 47 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 43.7 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
IGBT Type Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 920μJ (on), 300μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 349W
Reach Compliance Code not_compliant
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 349W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 80A
JEDEC-95 Code TO-247AB
Collector Emitter Saturation Voltage 2.1V
Test Condition 400V, 40A, 6 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 172.5 ns
Gate Charge 180nC
Td (on/off) @ 25°C 18ns/110ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 81ns
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