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FGH40T120SMD-F155 Spécifications techniques

IGBT 1200V 80A 555W TO247-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Part Status Active
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Element Configuration Single
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.2kV
Reverse Recovery Time 65 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 40A, 10 Ω, 15V
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Switching Energy 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7.5V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 555W
Power Dissipation 555W
Turn On Delay Time 40 ns
Turn-Off Delay Time 475 ns
Max Collector Current 80A
Collector Emitter Breakdown Voltage 1.2kV
Collector Emitter Saturation Voltage 1.8V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Continuous Collector Current 80A
Gate Charge 370nC
Td (on/off) @ 25°C 40ns/475ns
Gate-Emitter Voltage-Max 25V
Height 24.75mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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