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FGH40T65SHDF-F155
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FGH40T65SHDF-F155 Spécifications techniques
IGBT 650V 80A 268W TO-247-3
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 6 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2016 |
Part Status | Active |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Element Configuration | Single |
Power - Max | 268W |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 650V |
Reverse Recovery Time | 101 ns |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.45V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.81V @ 15V, 40A |
Gate Charge | 68nC |
Td (on/off) @ 25°C | 18ns/64ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Weight | 6.39g |
Packaging | Tube |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Max Power Dissipation | 268W |
Input Type | Standard |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 80A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 650V |
Test Condition | 400V, 40A, 6 Ω, 15V |
IGBT Type | Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Switching Energy | 1.22mJ (on), 440μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 7.5V |
FGH40T65SHDF-F155 Documents
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Feuilles de données
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---|---|---|---|
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FGH40N120ANTU | ON Semiconductor | IGBTs simples | |
FGH40N120ANTU IC | ONSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 9273 |
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