FGH50N6S2D Spécifications techniques

FGH50N6S2D datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 463W
Number of Elements 1
Power Dissipation 463W
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 75A
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A
Gate Charge 70nC
Td (on/off) @ 25°C 13ns/55ns
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 75A
Element Configuration Single
Input Type Standard
Rise Time 15ns
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 55ns
Collector Emitter Saturation Voltage 1.9V
Test Condition 390V, 30A, 3 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 180 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 240A
Switching Energy 260μJ (on), 250μJ (off)
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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