FGH60N60SFDTU Spécifications techniques

FGH60N60SFDTU datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOW CONDUCTION LOSS
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Base Part Number FGH60N60
Element Configuration Single
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 47 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Test Condition 400V, 60A, 5 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 187 ns
Gate Charge 198nC
Td (on/off) @ 25°C 22ns/134ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 62ns
Length 15.6mm
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 378W
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 378W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 120A
JEDEC-95 Code TO-247AB
Turn On Time 66 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
IGBT Type Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 180A
Switching Energy 1.79mJ (on), 670μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6.5V
Height 20.6mm
Width 4.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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