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FGH75T65UPD-F085
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FGH75T65UPD-F085 Spécifications techniques
IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 |
Weight | 6.39g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Max Power Dissipation | 375W |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 650V |
Reverse Recovery Time | 85 ns |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 650V |
Turn On Time | 87 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 75A |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 225A |
Switching Energy | 2.85mJ (on), 1.2mJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 7.5V |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Rise Time-Max | 71ns |
Case Connection | COLLECTOR |
Power - Max | 375W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 150A |
JEDEC-95 Code | TO-247AB |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.21V |
Test Condition | 400V, 75A, 3 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 197 ns |
Gate Charge | 578nC |
Td (on/off) @ 25°C | 32ns/166ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Feuilles de données
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