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FGH75T65UPD Spécifications techniques

FGH75T65UPD datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 375W
Element Configuration Single
Power - Max 375W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 650V
Reverse Recovery Time 85 ns
Collector Emitter Saturation Voltage 2.3V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A
Gate Charge 385nC
Td (on/off) @ 25°C 32ns/166ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 20.82mm
Width 4.82mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Rise Time-Max 56ns
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 150A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Test Condition 400V, 75A, 3 Ω, 15V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 225A
Switching Energy 2.85mJ (on), 1.2mJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7.5V
Length 15.87mm
Radiation Hardening No
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FGH75T65UPD fabricants de marques: ON Semiconductor, Bonchip action, FGH75T65UPD prix de référence. FGH75T65UPD paramètres, FGH75T65UPD Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FGH75T65UPD Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FGH75T65UPD schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FGH75T65UPD tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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