FGH80N60FDTU Spécifications techniques

FGH80N60FDTU datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 6.39g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 290W
Element Configuration Single
Input Type Standard
Power - Max 290W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 36 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
IGBT Type Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
Switching Energy 1mJ (on), 520μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 7V
Height 20.6mm
Width 4.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Turn On Delay Time 21 ns
Transistor Application POWER CONTROL
Turn-Off Delay Time 126 ns
Max Collector Current 80A
JEDEC-95 Code TO-247AB
Collector Emitter Saturation Voltage 600V
Test Condition 400V, 40A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 201 ns
Gate Charge 120nC
Td (on/off) @ 25°C 21ns/126ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 100ns
Length 15.6mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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