FGP15N60UNDF Spécifications techniques

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Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / IGBTs simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Max Power Dissipation 178W
Element Configuration Single
Input Type Standard
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 30A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Saturation Voltage 2.7V
Test Condition 400V, 15A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 69.8 ns
Gate Charge 43nC
Td (on/off) @ 25°C 9.3ns/54.8ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Fall Time-Max (tf) 12.8ns
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Number of Elements 1
Power Dissipation 178W
Transistor Application MOTOR CONTROL
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600V
Reverse Recovery Time 82.4ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 18.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 15A
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 45A
Switching Energy 370μJ (on), 67μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 8.5V
Height 16.51mm
Width 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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