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FJL6920TU Spécifications techniques

FJL6920TU datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 19 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Weight 6.756g
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2014
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 200W
Number of Elements 1
Power Dissipation 200W
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 800V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 5.5 @ 11A 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 2.75A, 11A
Collector Emitter Saturation Voltage 3V
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 800V
Current Rating 20A
Element Configuration Single
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type NPN
Max Collector Current 30A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 800V
Collector Base Voltage (VCBO) 1.7kV
hFE Min 5
Height 29mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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