FJN4309RTA Spécifications techniques

Transistors Switching - Resistor Biased PNP Si Transistor Epitaxial

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Weight 240mg
Published 2016
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Polarity PNP
Power Dissipation 300mW
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Max Breakdown Voltage 40V
Collector Base Voltage (VCBO) -40V
hFE Min 100
Continuous Collector Current -100mA
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tape & Box (TB)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC -40V
Terminal Position BOTTOM
Current Rating -100mA
Base Part Number FJN4309
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Transition Frequency 200MHz
Frequency - Transition 200MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Resistor - Base (R1) 4.7 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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