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FJNS3210RBU Spécifications techniques
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-92S |
Part Status | Obsolete |
Power - Max | 300mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Packaging | Bulk |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Frequency - Transition | 250MHz |
FJNS3210RBU Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FJNS3201RBU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2729 |
FJNS3201RBU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2689 |
FJNS3201RBU | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
FJNS3201RTA | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2571 |
FJNS3201RTA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2741 |
FJNS3201RTA | Rochester Electronics, LLC | Transistors BJT pré-polarisés | |
FJNS3201RTA | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés | |
FJNS3202RBU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2618 |
FJNS3202RBU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolaires (BJT) - Simple, Pré-polarisés | 2690 |
FJNS3202RBU | ON Semiconductor | Transistors BJT pré-polarisés |
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