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FJV1845PMTF Spécifications techniques

FJV1845PMTF datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight 30mg
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 300mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 50mA
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Single
Gain Bandwidth Product 100MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 120V
Collector Emitter Saturation Voltage 70mV
Frequency - Transition 110MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 5V
Height 1.04mm
Width 1.3mm
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 120V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Frequency 100MHz
Base Part Number FJV1845
Number of Elements 1
Power Dissipation 300mW
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 120V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 1mA 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Transition Frequency 110MHz
Max Breakdown Voltage 120V
Collector Base Voltage (VCBO) 120V
hFE Min 200
Length 2.9mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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