FJV3102RMTF Spécifications techniques

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors BJT pré-polarisés
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight 30mg
Published 2016
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Base Part Number FJV3102
Polarity NPN
Power Dissipation 200mW
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
hFE Min 30
Continuous Collector Current 100mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.95
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Current Rating 100mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 250MHz
Frequency - Transition 250MHz
Emitter Base Voltage (VEBO) 10V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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