FMB200 Spécifications techniques

Bipolar Transistors - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 28 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Weight 36mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 700mW
Current Rating -500mA
Base Part Number FMB200
Polarity PNP
Power Dissipation 700mW
Gain Bandwidth Product 300MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 45V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200mA
Transition Frequency 300MHz
Max Breakdown Voltage 45V
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
Height 1mm
Width 1.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -45V
Terminal Form GULL WING
Frequency 300MHz
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 45V
Collector Emitter Saturation Voltage 400mV
Collector Base Voltage (VCBO) -60V
hFE Min 100
Length 3mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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