FMB3906 Spécifications techniques

Bipolar Transistors - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Tableaux BJT Transistors
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Weight 36mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2017
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 700mW
Current Rating -200mA
Base Part Number FMB3906
Polarity PNP
Power Dissipation 700mW
Gain Bandwidth Product 200MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA 1V
Collector Emitter Breakdown Voltage 40V
Collector Emitter Saturation Voltage 400mV
Collector Base Voltage (VCBO) -40V
hFE Min 100
Length 3mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -40V
Terminal Form GULL WING
Frequency 200MHz
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 200mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Transition Frequency 200MHz
Max Breakdown Voltage 40V
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Height 1mm
Width 1.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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