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FPF2C8P2NL07A Spécifications techniques

IGBT MODULE 650V 30A 135W F2

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Modules IGBT
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Weight 45g
Published 2014
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Max Power Dissipation 135W
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power - Max 135W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.2V
Current - Collector Cutoff (Max) 250μA
Isolation Voltage 2.5kV
IGBT Type Field Stop
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case F2 Module
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
HTS Code 8542.39.00.01
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Configuration Three Phase
Input Standard
Max Collector Current 30A
Collector Emitter Breakdown Voltage 650V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A
NTC Thermistor Yes
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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FPF2C8P2NL07A fabricants de marques: ON Semiconductor, Bonchip action, FPF2C8P2NL07A prix de référence. FPF2C8P2NL07A paramètres, FPF2C8P2NL07A Fiche technique PDF et téléchargement de la description du schéma des broches. Vous pouvez utiliser le FPF2C8P2NL07A Connecteurs enfichables, Fiche technique DSP PDF, trouver FPF2C8P2NL07A schéma de broche et schéma de circuit et méthode d'utilisation de la fonction, FPF2C8P2NL07A tutoriels électroniques. Vous pouvez télécharger à partir du Bonchip.
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