FQA11N90-F109 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 900V 11.4A TO-3P

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series QFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 960m Ω @ 5.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 90 ns
Continuous Drain Current (ID) 11.4A
Drain-source On Resistance-Max 0.96Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 45.6A
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 300W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 65 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.4A Tc
Rise Time 135ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 165 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 900V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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