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FQA13N50CF Spécifications techniques

FQA13N50CF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 480MOhm
Additional Feature FAST SWITCHING
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 218W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480m Ω @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2055pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 100 ns
Continuous Drain Current (ID) 15A
Drain to Source Breakdown Voltage 500V
Avalanche Energy Rating (Eas) 860 mJ
Length 15.8mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series FRFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 218W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 25 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A Tc
Rise Time 100ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 130 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60A
Height 20.1mm
Width 5mm
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