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FQA140N10 Spécifications techniques

FQA140N10 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 10mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 375W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10m Ω @ 70A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 285nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 360 ns
Continuous Drain Current (ID) 140A
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 560A
Length 15.8mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 100V
Current Rating 140A
Power Dissipation-Max 375W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 75 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 140A Tc
Rise Time 940ns
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 350 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Height 18.9mm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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