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FQA19N60 Spécifications techniques
FQA19N60 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Voltage - Rated DC | 600V |
Current Rating | 18.5A |
Voltage | 600V |
Element Configuration | Single |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 65 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.5A Tc |
Rise Time | 210ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 150 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Height | 18.9mm |
Width | 5mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2000 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 300W Tc |
Current | 16A |
Power Dissipation | 300W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380m Ω @ 9.3A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 135 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 18.5A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 1150 mJ |
Length | 15.8mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQA19N60 Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
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FQA19N20C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 41635 |
FQA19N20L | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 33066 |
FQA19N20L | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 33066 |
FQA19N20L MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 893 |
FQA19N60 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 15148 |
FQA19N60 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5380 |
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