FQA27N25 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 250V 27A TO-3P

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Weight 6.401g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 250V
Current Rating 27A
Power Dissipation-Max 210W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 32 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A Tc
Rise Time 270ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 80 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 600 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 210W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110m Ω @ 13.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 120 ns
Continuous Drain Current (ID) 27A
Drain to Source Breakdown Voltage 250V
Radiation Hardening No
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