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FQA7N80C-F109 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Transistor Element Material SILICON
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form THROUGH-HOLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Drain-source On Resistance-Max 1.9Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 800V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Surface Mount NO
Packaging Tube
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Operating Temperature (Max) 150°C
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Transistor Application SWITCHING
Drain Current-Max (Abs) (ID) 7A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 28A
Avalanche Energy Rating (Eas) 580 mJ
Power Dissipation-Max (Abs) 198W
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