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FQB19N20CTM Spécifications techniques
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 5 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 170mOhm |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Voltage - Rated DC | 200V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 3.13W Ta 139W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170m Ω @ 9.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 115 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 19A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 19A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 3.13W |
Turn On Delay Time | 15 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A Tc |
Rise Time | 150ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 135 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 76A |
Length | 10.67mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
FQB19N20CTM Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQB19N10 | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 2500 |
FQB19N10 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 6346 |
FQB19N10L | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 32363 |
FQB19N10LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32363 |
FQB19N10LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32363 |
FQB19N10TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 38163 |
FQB19N10TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 38163 |
FQB19N10TM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 6000 |
FQB19N20 | F | Circuits intégrés spécialisés | 28755 |
FQB19N20C | F | Circuits intégrés spécialisés | 10459 |
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