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FQB27N25TM-F085 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series Automotive, AEC-Q101
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 110mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 131m Ω @ 25.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 81 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 972 mJ
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 245
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 417W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 36 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25.5A Tc
Rise Time 122ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 60 ns
Continuous Drain Current (ID) 25.5A
DS Breakdown Voltage-Min 250V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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