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FQB33N10TM Spécifications techniques
FQB33N10TM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 11 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Current Rating | 33A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 3.75W |
Turn On Delay Time | 15 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A Tc |
Rise Time | 195ns |
Vgs (Max) | ±25V |
Turn-Off Delay Time | 80 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Length | 10.67mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2000 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 52MOhm |
Voltage - Rated DC | 100V |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 3.75W Ta 127W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52m Ω @ 16.5A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 110 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 33A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 25V |
Height | 4.83mm |
Width | 9.65mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQB33N10TM Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQB33N10 | F | Circuits intégrés spécialisés | 30211 |
FQB33N10 MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 20928 |
FQB33N10L | F | Circuits intégrés spécialisés | 4442 |
FQB33N10LTM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32561 |
FQB33N10LTM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 32561 |
FQB33N10LTM | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FQB33N10TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 68685 |
FQB33N10TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 68685 |
FQB33N10TM MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 1292 |
FQB33N25 | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 45 |
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