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FQB7N60TM Spécifications techniques

MOSFET 600V N-Channel QFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 1Ohm
HTS Code 8541.29.00.95
Voltage - Rated DC 600V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 3.13W Ta 142W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ω @ 3.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1430pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 60 ns
Continuous Drain Current (ID) 7.4A
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Avalanche Energy Rating (Eas) 580 mJ
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 7.4A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.13W
Turn On Delay Time 30 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A Tc
Rise Time 80ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 29.6A
Height 4.83mm
Width 9.65mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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