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FQB8N60CTM Spécifications techniques

MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 600V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 3.13W Ta 147W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ω @ 3.75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1255pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 64.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 7.5A
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Weight 1.31247g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2003
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 8A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 3.13W
Turn On Delay Time 16.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A Tc
Rise Time 60.5ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 81 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Height 4.83mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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