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FQB9P25TM Spécifications techniques
FQB9P25TM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | -9.4A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 3.13W |
Turn On Delay Time | 20 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A Tc |
Rise Time | 150ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 65 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 9.4A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.62Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 650 mJ |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2016 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | -250V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 3.13W Ta 120W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620m Ω @ 4.7A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 45 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -250V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
FQB9P25TM Documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour FQB9P25TM
-
Feuilles de données
D'autres incluent "FQB9P" les pièces
Les pièces suivantes comprennent 'FQB9P'
Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQB9P25 | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 2753 |
FQB9P25TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2504 |
FQB9P25TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2619 |
FQB9P25TM-NL | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 2779 |
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