FQD18N20V2TM Spécifications techniques

FQD18N20V2TM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PDSO-G2
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 15A Tc
Rise Time 133ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 60A
Nominal Vgs 5 V
Length 6.6mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2014
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 140MOhm
Voltage - Rated DC 200V
Terminal Position DUAL
Current Rating 15A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 83W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140m Ω @ 7.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 62 ns
Continuous Drain Current (ID) 15A
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Height 2.517mm
Width 6.1mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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