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FQD1N60CTM Spécifications techniques
FQD1N60CTM datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 5 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2003 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 11.5Ohm |
Additional Feature | AVALANCHE RATED |
Voltage - Rated DC | 600V |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 28W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 Ω @ 500mA, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 27 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 1A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
Height | 2.3mm |
Width | 6.1mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 1A |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
Turn On Delay Time | 7 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A Tc |
Rise Time | 21ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 13 ns |
Threshold Voltage | 2V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 1A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 4A |
Length | 6.6mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQD1N60CTM Documents
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQD1N50 | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 725 |
FQD1N50 MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 5523 |
FQD1N50B | FAI | Circuits intégrés spécialisés | 2997 |
FQD1N50TF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5000 |
FQD1N50TF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 5000 |
FQD1N50TM | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2560 |
FQD1N50TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2682 |
FQD1N60 | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 36095 |
FQD1N60C | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 3640 |
FQD1N60C MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 24040 |
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