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FQD4N20TM Spécifications techniques

MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 200V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 30W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ω @ 1.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 220pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 3A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3A
Avalanche Energy Rating (Eas) 52 mJ
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Resistance 1.4Ohm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Current Rating 3A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A Tc
Rise Time 50ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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