FQD5N15TM Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Voltage - Rated DC 150V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 30W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800m Ω @ 2.15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 230pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 4.3A
Drain-source On Resistance-Max 0.8Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 17.2A
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Current Rating 4A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A Tc
Rise Time 45ns
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Avalanche Energy Rating (Eas) 55 mJ
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