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FQD5N15TM Spécifications techniques
Trans MOSFET N-CH 150V 4.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Weight | 260.37mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Voltage - Rated DC | 150V |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 30W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800m Ω @ 2.15A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 25 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 4.3A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.8Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 17.2A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Current Rating | 4A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
Turn On Delay Time | 5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A Tc |
Rise Time | 45ns |
Vgs (Max) | ±25V |
Turn-Off Delay Time | 13 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 25V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 150V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 55 mJ |
Lead Free | Lead Free |
FQD5N15TM Documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour FQD5N15TM
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Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQD5N15 | FAIRCHILD | Circuits intégrés spécialisés | 10109 |
FQD5N15TF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 10330 |
FQD5N15TF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 22119 |
FQD5N15TF | Rochester Electronics, LLC | FQD5N15TF | |
FQD5N15TF MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 4484 |
FQD5N15TM | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 12195 |
FQD5N15TM MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 10368 |
FQD5N20L | F | Circuits intégrés spécialisés | 10302 |
FQD5N20L MOS | VBSEMI | Circuits intégrés spécialisés | 5352 |
FQD5N20LTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2527 |
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