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FQD5P10TM Spécifications techniques

P-channel Power Mosfet, Qfet®, -100 V, -3.6 A, 1.05 ?, Dpak

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1999
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating -3.6A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 25W Tc
Current 36A
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A Tc
Rise Time 70ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 12 ns
Threshold Voltage -2V
Drain to Source Breakdown Voltage -100V
Height 2.39mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC -100V
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Voltage 100V
Element Configuration Single
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ω @ 1.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 30 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 55 mJ
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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