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FQD9N25TM-F080 Spécifications techniques

Trans MOSFET N-CH 250V 7.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Weight 260.37mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series QFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 55W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420m Ω @ 3.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 45 ns
Continuous Drain Current (ID) 7.4A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 250V
Avalanche Energy Rating (Eas) 165 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A Tc
Rise Time 105ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 25 ns
JEDEC-95 Code TO-252AB
Drain-source On Resistance-Max 0.42Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 29.6A
Radiation Hardening No
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