FQP12P20 Spécifications techniques

FQP12P20 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 470MOhm
Voltage - Rated DC -200V
Current Rating -11.5A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 120W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 470m Ω @ 5.75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Threshold Voltage -5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 46A
Nominal Vgs -5 V
Length 10.1mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Lead Pitch 2.54mm
Power Dissipation-Max 120W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.5A Tc
Rise Time 195ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 60 ns
Continuous Drain Current (ID) 11.5A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage -200V
Dual Supply Voltage -200V
Height 9.4mm
Width 4.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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