FQP3N50C-F080 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Packaging Tube
Part Status Active
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Element Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A Tc
Rise Time 25ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 3A
Radiation Hardening No
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power Dissipation-Max 62W Tc
Turn On Delay Time 10 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ω @ 1.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 365pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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