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FQP65N06 Spécifications techniques

FQP65N06 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 16mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 150W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16m Ω @ 32.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2410pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 105 ns
Continuous Drain Current (ID) 65A
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 260A
Avalanche Energy Rating (Eas) 650 mJ
Height 9.4mm
Width 4.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 60V
Current Rating 65A
Power Dissipation-Max 150W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A Tc
Rise Time 160ns
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 90 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Dual Supply Voltage 60V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.1mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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