FQP6N40C Spécifications techniques

FQP6N40C datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 400V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 73W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ω @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 38 ns
Continuous Drain Current (ID) 6A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain-source On Resistance-Max 1Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 24A
Height 9.4mm
Width 4.7mm
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2003
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 6A
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 73W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A Tc
Rise Time 65ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 21 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6A
Drain to Source Breakdown Voltage 400V
Avalanche Energy Rating (Eas) 270 mJ
Length 10.1mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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