FQP85N06 Spécifications techniques

FQP85N06 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 5 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 4.535924g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 10MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 85A
Qualification Status Not Qualified
Voltage 60V
Element Configuration Single
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 40 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 85A Tc
Rise Time 230ns
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 175 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Dual Supply Voltage 60V
Height 9.4mm
Width 4.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 60V
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 160W Tc
Current 85A
Power Dissipation 160W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10m Ω @ 42.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4120pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 112nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 170 ns
Continuous Drain Current (ID) 85A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.1mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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