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FQP8N80C Spécifications techniques
FQP8N80C datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 6 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | 800V |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 178W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55 Ω @ 4A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2050pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 70 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 8A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 8A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 850 mJ |
Length | 10.1mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 hours ago) |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Weight | 1.8g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Current Rating | 8A |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 178W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 40 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A Tc |
Rise Time | 110ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 65 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 800V |
Height | 9.4mm |
Width | 4.7mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FQP8N80C Documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour FQP8N80C
-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQP8N25 | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 1158 |
FQP8N50C | VB | Circuits intégrés spécialisés | 5000 |
FQP8N60 | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 6973 |
FQP8N60C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 69556 |
FQP8N60C | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 1451 |
FQP8N60C | ON Semiconductor | Transistors MOSFET simples | |
FQP8N60C MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 862 |
FQP8N60CFT | FAIRCHILD | Circuits intégrés spécialisés | 2587 |
FQP8N65C | VB | Circuits intégrés spécialisés | 5000 |
FQP8N80 | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 70 |
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