FQPF33N10L Spécifications techniques

FQPF33N10L datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 2.27g
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 100V
Current Rating 18A
Power Dissipation-Max 41W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52m Ω @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1630pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 5V 10V
Fall Time (Typ) 120 ns
Continuous Drain Current (ID) 18A
Drain-source On Resistance-Max 0.055Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 72A
Length 10.36mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 41W
Turn On Delay Time 17 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A Tc
Rise Time 470ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 70 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Height 16.07mm
Width 4.9mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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