FQPF47P06YDTU Spécifications techniques

MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Weight 2.565g
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Power Dissipation-Max 62W Tc
Power Dissipation 62W
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A Tc
Rise Time 450ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 195 ns
Continuous Drain Current (ID) 30A
Drain to Source Breakdown Voltage -60V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2015
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 50 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3600pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±25V
Turn-Off Delay Time 100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 25V
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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