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FQPF47P06YDTU Spécifications techniques
MOSFET P-CH 60V 30A TO-220F
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 6 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Weight | 2.565g |
Packaging | Tube |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | Other Transistors |
Power Dissipation-Max | 62W Tc |
Power Dissipation | 62W |
FET Type | P-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A Tc |
Rise Time | 450ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 195 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 30A |
Drain to Source Breakdown Voltage | -60V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2015 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Element Configuration | Single |
Turn On Delay Time | 50 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26m Ω @ 15A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±25V |
Turn-Off Delay Time | 100 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 25V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
FQPF47P06YDTU Documents
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Feuilles de données
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---|---|---|---|
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