FQPF5N40 Spécifications techniques

MOSFET N-CH 400V 3A TO-220F

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 4 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 2.27g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 400V
Current Rating 3A
Power Dissipation-Max 35W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ω @ 1.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 30 ns
Continuous Drain Current (ID) 3A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3A
Avalanche Energy Rating (Eas) 290 mJ
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 35W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A Tc
Rise Time 60ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage 400V
Recovery Time 190 ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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