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FQPF8N60C Spécifications techniques

FQPF8N60C datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Additional Feature FAST SWITCHING
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 48W
Turn On Delay Time 16.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A Tc
Rise Time 60.5ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 81 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Dual Supply Voltage 600V
Height 9.19mm
Width 4.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Weight 2.27g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 7.5A
Power Dissipation-Max 48W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection ISOLATED
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ω @ 3.75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1255pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 64.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 7.5A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 600V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.16mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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