FQS4900TF Spécifications techniques

MOSFET N-Ch 60V/ P-Ch 300V Dual QFET

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / MOSFETs Transistors Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Weight 230.4mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2002
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 2W
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation 2W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.95V @ 20mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.1nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 300V
Fall Time (Typ) 47 ns
Continuous Drain Current (ID) 1.3A
Drain-source On Resistance-Max 0.65Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 5.2A
FET Feature Standard
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number FQS4900
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550m Ω @ 650mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A 300mA
Rise Time 25ns
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Turn-Off Delay Time 35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -300V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Partie # Fabricant Catégorie Disponibilité
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