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FQT3P20TF Spécifications techniques

FQT3P20TF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Attribut de produit Valeur d'attribut
Category Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -200V
Terminal Position DUAL
Current Rating -670mA
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
Turn On Delay Time 8.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 670mA Tc
Rise Time 35ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 25 ns
Continuous Drain Current (ID) 670mA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.67A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 2.7A
Length 6.5mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attribut de produit Valeur d'attribut
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Weight 188mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 4
Resistance 2.7Ohm
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PDSO-G4
Power Dissipation-Max 2.5W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 Ω @ 335mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Drain to Source Breakdown Voltage -200V
Height 1.6mm
Width 3.56mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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