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FQT4N20LTF Spécifications techniques
FQT4N20LTF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Category | Semi-conducteurs discrets / Transistors MOSFET simples |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 18 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | QFET® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 2.2W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35 Ω @ 425mA, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2nC @ 5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 5V 10V |
Fall Time (Typ) | 40 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 850mA |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Height | 1.6mm |
Width | 3.56mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attribut de produit | Valeur d'attribut |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Weight | 188mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2001 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 4 |
Resistance | 1.35Ohm |
Voltage - Rated DC | 200V |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Current Rating | 850mA |
JESD-30 Code | R-PDSO-G4 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.2W |
Turn On Delay Time | 7 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 850mA Tc |
Rise Time | 70ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Threshold Voltage | 2V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 0.85A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 52 mJ |
Length | 6.5mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
FQT4N20LTF Documents
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-
Feuilles de données
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Partie # | Fabricant | Catégorie | Disponibilité |
---|---|---|---|
FQT4N20 | FSC | Circuits intégrés spécialisés | 4243 |
FQT4N20L | FAIRCHI | Circuits intégrés spécialisés | 14058 |
FQT4N20LTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 2260 |
FQT4N20LTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 677534 |
FQT4N20LTF IC | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 586 |
FQT4N20LTF MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Circuits intégrés spécialisés | 712 |
FQT4N20TF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 21238 |
FQT4N20TF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - FETs, MOSFETs - Simple | 16450 |
FQT4N25 | FAI | Circuits intégrés spécialisés | 9329 |
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